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產(chǎn)品型號(hào):1943/5200

產(chǎn)品介紹

 SJT5200 NPN型硅三極管

 

 描述

SJT5200NPL NPN 型硅三極管采用平面三極管工藝技術(shù)制造。

該產(chǎn)品主要應(yīng)用在 150W 高保真音頻放大輸出。SJT5200NPL 三極管目前可提供 TO-264-3L 封裝外形?;パa(bǔ) PNP 管:SJT1943PPL。

特點(diǎn)

較高的擊穿電壓。

很小的漏電電流。

 

產(chǎn)品命名規(guī)則

 

 

產(chǎn)品規(guī)格分類(lèi)

產(chǎn) 品 名 稱(chēng)

封裝形式

打印名稱(chēng)

材料

包裝

SJT5200NPL

TO-264-3L

5200

無(wú)鉛

料管

 

極限參數(shù)(除非特殊說(shuō)明,Ta=25°C)

參 數(shù)

符 號(hào)

參 數(shù) 范 圍

單 位

集電極、發(fā)射極擊穿電壓

BVCEO

230

IC=5mA,IB=0

V

發(fā)射極、基極擊穿電壓

BVEBO

5

IE=1mA,IC=0

V

集電極、基極擊穿電壓

BVCBO

230

IC=1mA,IE=0

V

集電極電流

IC

15

A

基極電流

IB

1.5

A

工作結(jié)溫

TJ

-55~+150

°C

存儲(chǔ)溫度

Tstg

-55~+150

°C

集電極耗散功率(Tc=25°C)

PC

150

W

 

電參數(shù)(除非特殊說(shuō)明,Ta=25°C)

參 數(shù)

符 號(hào)

測(cè) 試 條 件

最小值

典型

最大值

單位

 

直流電流增益

 

HFE

VCE=5V,IC=1A

55

-

160

-

VCE=5V,IC=7A

35

-

-

-

集電極、發(fā)射極飽和壓降

VCE(sat)

IC=8A,IB=0.8A

-

0.3

2

V

基極、發(fā)射極電壓

VBE

VCE=5V,IC=7A

-

0.9

1.5

V

集電極、基極漏電電流

ICBO

VCE=230V,IB=0

-

-

5

μA

發(fā)射極、基極漏電電流

IEBO

VCB=5V,IC=0

-

-

5

μA

集電極輸出電容

COB

VCB =-10V,IE =0,f =1MHz

-

200

-

pF

典型特性曲線

封裝外形圖

 

 

 

 

 

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