描述

SJT688APPN PNP 型硅三極管采用平面三極管工藝技術(shù)制造，多層外延、超低密度晶體缺陷、聚酰亞胺鈍化、小于 200 微米的薄芯片等先進(jìn)技術(shù)的使用使得 SJT688APPN 具有熱阻低、耗散功率大、可靠性好的特點。優(yōu)化的芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計和封裝設(shè)計提升了器件的抗二次擊穿能力。

該產(chǎn)品主要應(yīng)用于家用于汽車音響等音頻功率放大器的功率輸出級，具有線性范圍寬、失真度低的特點。

SJT688APPN 三極管目前可提供 TO-3P 封裝外形?；パa(bǔ) NPN 管：SJT718ANPN。

特點

較高的擊穿電壓余量。

非常低的漏電電流。

高輸出功率：80W；

較高的二次擊穿耐量和可靠性。

產(chǎn)品命名規(guī)則

產(chǎn)品規(guī)格分類

產(chǎn) 品名稱	封裝形式	打印名稱	材料	包裝
SJT688APPN	TO-3P	688A	無鉛	料管

極限參數(shù)(除非特殊說明，T_a=25°C)

參數(shù)	符號	參數(shù) 范圍		單位
集電極、發(fā)射極擊穿電壓	BVCEO	-120	IC=5mA，IB=0	V
發(fā)射極、基極擊穿電壓	BVEBO	-5	IE=1mA，IC=0	V
集電極、基極擊穿電壓	BVCBO	-120	IC=1mA，IE=0	V
集電極電流	IC	-10		A
基極電流	IB	-1		A
工作結(jié)溫	TJ	-55~+150		°C
存儲溫度	Tstg	-55~+150		°C
集電極耗散功率（Tc=25°C）	PC	80		W

電參數(shù)(除非特殊說明，T_a=25°C)

參數(shù)	符號	測試條件	最小值	典型	最大值	單位
直流電流增益	HFE	VCE=-5V，IC=-1A	55	-	160	-
集電極、發(fā)射極飽和壓降	VCE(sat)	IC=-6A，IB=-0.6A	-	-	-2	V
基極、發(fā)射極電壓	VBE	VCE=-5V，IC=-5A	-	-	-1.5	V
集電極、基極漏電電流	ICBO	VCB=-120V，IE=0	-	-	-10	μA
集電極、發(fā)射極漏電電流	ICEO	VCE=-120V，IB=0	-	-	100	μA
發(fā)射極、基極漏電電流	IEBO	VEB=-5V，IC=0	-	-	-10	μA
三極管頻率	FT	VCE=-5V，IC=-1A	-	10	-	MHZ
集電極輸出電容	COb	VCB =-10V，IE =0，f =1MHz	-	230	-	pF

典型特性曲線

典型特性曲線（續(xù)）

產(chǎn)品介紹

描述

特點

典型特性曲線

封裝外形圖